电脑的内存型号ddr3和ddr2有什么区别？
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。DDR2和DDR3插槽一样吗？
DDR2和DDR3的插槽是不一样的，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。既支持DDR2内存卡还支持DDR3内存卡的主板，其中2个是DDR2内存卡的插槽，另外2个是DDR3内存卡的插槽，但是不能同时使用2种类型的，只能选择1种。DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者（增加至八倍）。DDR2内存卡与DDR3内存卡的区别如下：1、防呆缺口不一样：DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚。DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。2、读取数据的速度不一样：DDR2内存卡预读取能力为4bit数据读预取。DDR3内存卡预读取能力为16bit数据读预取。3、使用电压不同：DDR2内存卡的使用电压为1.8V。DDR3内存卡的使用电压为1.5V。参考资料：百度百科-DDR3内存参考资料：百度百科-DDR2内存内存DDR2和DDR3有多大差别？
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
Ddr2、ddr3、ddr4内存条的读写速率分别能达到多大？
DDR2SDRAM（DoubleDataRateTwoSDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4bit（DDR的两倍），DDR2的I/O频率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。举例：核心频率同样有133～200MHz的颗粒，I/O频率提升的影响下，此时的DDR2传输速率约为533～800MT/s不等，也就是常见的DDR2533、DDR2800等内存规格。DDR3SDRAM（DoubleDataRateThreeSDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8bit，即每次会存取8bits为一组的数据。DDR3传输速率介于800～1600MT/s之间。此外，DDR3的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR（AutomaticSelf-Refresh）、SRT（Self-RefreshTemperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。DDR4SDRAM（DoubleDataRateFourthSDRAM）：DDR4提供比DDR3/DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200MT/s。DDR4新增了4个BankGroup数据组的设计，各个BankGroup具备独立启动操作读、写等动作特性，BankGroup数据组可套用多任务的观念来想象，亦可解释为DDR4在同一频率工作周期内，至多可以处理4笔数据，效率明显好过于DDR3。另外DDR4增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。电压：1.2/1.35V电压带来更低功耗DDR2与DDR3的区别1、逻辑Bank数量drr2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而drr3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装(Packages)由于drr3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而drr2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且drr3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发长度(BL，BurstLength)由于drr3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，BurstLength)也固定为8，而对于drr2和早期的drr架构的系统，BL=4也是常用的，drr3为此增加了一个4-bitBurstChop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。4、寻址时序(Timing)就像drr2从drr转变而来后延迟周期数增加一样，drr3的CL周期也将比drr2有所提高。drr2的CL范围一般在2至5之间，而drr3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。drr2时AL的范围是0至4，而drr3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，drr3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。DDR3与DDR4的区别DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低一块主板上可以插一条DDR2和一条DDR3内存吗
可以，DDR3会自动降频为DDR2的频率知识延伸组内存双通道：双通道就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。要实现双通道模式, 必须满足以下条件:1）在每个通道 DIMM 配置匹配2）匹配在对称内存插槽如果配置不满足上述条件恢复为单通道模式。 以下情况不需要满足:1）品牌相同2）计时规格相同3）相同的速度 (MHz)4）DIMM 模块中组装的速度最慢系统决定内存通道速度。电脑内存的类型DDR2和DDR3是什么意思？有什么区别？
速度在不断飙升!AMD的AM2接口 K8架构处理器引入最高DDR2 800的支持，而Intel也会在7月23日发布万众期待的Conroe处理器并进行史上规模最大的“恐怖袭击”；桌面PC市场有望在2006年全面进入DDR2 800极速时代。RD600支持1500Mhz的前端总线超频，可惜在Computex 2006台北电脑展上面，RD600似乎“临时放弃”了DDR3内存的支持，转为支持DDR2 1066的支持，DDR3内存未能在2006年Q2进入市场。
DDR3相比起DDR2有更高的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
DDR3
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：
1.突发长度（Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
2.寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5.参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。这资料太多，慢慢看吧
笔记本内存DDR2和DDR3有什么区别，DDR3对电脑的要求是什么？
简单的讲就是省电 高频 功耗小 热小 通用，对电脑的要求是需要主板支持。DDR3可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，主板芯片可直接支持DDR3。当然，内存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点。
(3)降低整体成本：DDR2颗粒规格多为4M X 32bit，128MB便需8颗。而DDR3规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB。如此一来，PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，稍加修改便能采用DDR3，这对厂商降低成本大有好处。
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