内存每秒的读写速度一般是多少？

数码 2023-04-22 09:13:14 知道百科

内存每秒的写入速度和读取速度一般是多少？

看几代条子
有333 400 533 这是DDR的
DDR2有667 800 1066
DDR3有 1333 1600 2132
但是现在目前好想只有1600的
数值越高频率越快
但是还要看你主板支持多少频率的！

你所说的读写速度应该指的是内存的传输带宽吧，及每秒传送多少M的数据给CPU，计算公式等于

频率X内存位宽/8

单通道即频率乘以8，双通道频率乘以16，懂了吧

硬盘有 8M/s 16M/S 32M/S 64M/S几种，数值越大越贵

DDR比SD快两倍？DDR2比DDR快两倍？DDR3比DDR2快两倍？

不是的。假如频率一样，不考虑延时的话，理论上DDR2和DDR3性能是完全一样的。如果考虑延时的问题，DDR3会比DDR2要慢。

内存有3个频率：内核频率、I/O物理时钟频率和等效时钟频率。

假设我们现在有两根内存，一根是DDR2-800，另一根是DDR3-800（估且假设是用我的KST PC1333降频下来的吧，呵~），我们来弄清楚它们各种频率和预读取位数之间的关系。

首先，800MHz指的是什么频率？是I/O等效时钟频率，相信这一点大家都无异义。

那么接下来，再来看物理时钟频率。DDR2、DDR3和DDR一样，都是延数据的上行与下行各传输一次数据，那么I/O物理时钟频率应当为800/2=400MHz。

接下来再来看被人最少提及的内核时钟频率。内核频率是显存颗粒真正的工作频率。并且，内核频率=物理频率/预读取位数。在弄清内核时钟频率之前，先了解一下预读取。预读取指一个时钟周期内，内存可以从逻辑BANK中读取多少位的数据。DDR是2位，DDR2是4位，DDR3是8位。换句话说，假如读出相同的数据量，DDR3的内核频率只需要是DDR2的一半。那么，DDR3的内核频率就变成400/8=50MHz，而DDR2则是400/4=100MHz。

OK，这样就应该知道DDR2和DDR3的区别了。
DDR2：内核频率100MHz，预读取位数4位，物理I/O频率是100*4=400MHz，有效频率是400*2=800MHz。
DDR3：内核频率50MHz，预读取位数8位，物理I/O频率是50*8=400MHz，有效频率是400*2=800MHz。
看看，DDR3内核频率这么低，实在是非常浪费的事。试试把它也做到100MHz看吧，于是，DDR3的频率就变成1600MHz。这样一来，DDR3-1600的性能不就是DDR2-800的两倍了么~~
那么对于DDR3-1333又是怎样？内核频率就变成1333/2/8=83MHz，还是比DDR2-800的内核频率要低，芯片即然降了频，那么内存电压也没必要做那么高了，也降一点，发热也降一点好了...

OK，最后讲一点延时，因为延时有很多种，比如像TRCD、TRP、TRAS、CAS等等等等（可能有十来种，一般主板BIOS里可以给你调的通常只有5、6种），就不一一解释了（其实我也记不清）。存内存诸数据，就像是二维表格（你可以认为是EXCEL表）。一根内存可能有一个到多个EXCEL表，我要从中内存中读取数据的话，先要找到存放这个数据的EXCEL表，然后再找到存储这个数据的行和列。那么实际上，内存读写器找到这个表格需要一定的时间，打开表格之后，读写器定位到这个行，需要时间，定位到这个列，也需要时间。像定位到表所需要的时间，就是一种延时，定位到行所需要的时间也是一种延时、定位到列也是种延时。再细分一点情况，可能读写头正好停在相临的一列上，只要稍微挪那么一点就能找到数据，那么又是种延时。读写头停在不同的EXCEL里，要从表A转到表B，又是种延时...当然，这里EXCEL表不叫EXCEL表，而叫做逻辑BANK，EXCEL的单元格叫做CELL，每个CELL能存放的数据量叫做数据深度...

OK，不管那么多复杂的术语了。来看看真实的情况。DDR2相对于DDR，预读取位数增加了，但很遗憾，延时也增加了。不讲为什么了，因为详情可以baidu得到。DDR3相对于DDR2，不好意思，延时又增加了...所以DDR3和DDR2频率一样的话，DDR3就会比DDR2要慢。

怎么看内存条上面的参数，比如是DDR2还是DDR3的?

怎么看内存条型号

内存ddr和ddr2有什么区别？

DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形剑�庵址庾靶问娇梢院芎玫墓ぷ髟?00MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够**到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

ddr2和ddr3的传输速率对比？

DDR2 传输速率为 800HZDDR3 传输速率为 1333HZ 用起来的话基本没什么区别......

SDRAM DDR DDR2的详细性能指标

DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够**到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

采用双通道运行，速度是DDR的2倍。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

写入速度和读取速度分别是指什么？

　　写入速度和读取速度都是指对存储设备进行数据操作时的速度，或者是所需要时间的长短，它们的意思是：
　　写入速度主要是将外部数据记录到存储设备中去时的速度，可以理解成为是相当于粘贴的速度。
　　读取速度是指将存储设备中的数据提取出来的操作速度，可以理解成为是相当于复制的速度。
　　在电脑中比较重要的存储设备为内存，其存储速度一般用存取时间衡量，即每次与CPU间数据处理耗费的时间，以纳秒(ns)为单位。目前大多数SDRAM内存芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。

固态硬盘一般的读取速度和写入速度是多少

SSD分不同的价位、容量、以及性能来区分，有好几种情况（只列举几个比较常见，也容易对比的SSD固态硬盘），如：1、金士顿——常规的，读（500MB/S）以上，写（400MB/S）以上，好点的，读（1500MB/S）以上，写（800MB/S）以上，对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都有明显的提升。（缺点：就是没缺点，价格和性能都算适中，符合大部分人的需求）2、西部数据——常规的（绿盘，最实惠的，适合家庭计算机等），读（450MB/S）以上，写（400MB/S）以上，好点的（蓝盘，适合有需求的办公电脑，和小型机等），读（550MB/S）以上，写（500MB/S）以上，再好点的（黑盘，适合有高效率需求的办公电脑，专业游戏电脑，和服务器等，及软件开发人员，体验“飞”一般的感觉），读（3000MB/S）以上，写（1600MB/S）以上，对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都很大的提升，完全不一样的感觉好不，感觉每次用电脑心情都是舒畅的~（缺点：价格稍微贵点，但价格和性能都还算合适）3、三星——常规（850）的，读（520MB/S）以上，写（500MB/S）以上，好点（970 evo plus）的，读（3300MB/S）以上，写（3000MB/S）以上，对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都有很大的提升（缺点：太贵）。4、普通的SSD（不细说牌子了）——读（300MB/S）以上，写（100MB/S)以上，这个是最低廉的SSD，聊胜于无，对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都没有太大的提升。但如果家用电脑（预算较低）的话，可以选择，相对会比较划算（缺点：对电脑性能提升不太大）。注1【重点】：同一种SSD固态，容量越大，速度越快。（比如：主控相同的同品牌两款SSD，一款是128G的，一款是256G的。两款SSD使用的都是单片容量为16G的闪存芯片，那么128G的SSD就需要128/16=8片闪存芯片，256G的SSD就需要256/16=16片闪存芯片。众所周知，SSD读写速度之所以快，就在于其读写时，是将数据分散同时读写多个闪存芯片的。显然，有16片闪存芯片的256G产品由于可以同时读写更多地闪存芯片，速度就比只有8片闪存芯片的128G产品速度快了）注2【了解】：以上仅为个人观点，仅供参考。因是做软件开发的（个人装的西部数据的黑盘，测试出来IO速度为——读（3200MB/S）多一点，写（2600MB/S））浮动，身边的人都对电脑性能有一定的要求，也都装了固态SSD，相对了解的多那么一点。如果不小心帮到了您，请留下个“赞”再走~

ddr2和ddr3的区别

DDR3时代

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。

DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：

1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
DDR3与DDR2几个主要的不同之处：

1.突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数－－写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

5.参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

内存卡读写速度和写入速度有什么区别

内存卡的读取和写入速度不一致，是因为内存卡本身的物理特性决定的。
在读取时，不需要额外的操作，就可以以块为单位读取，其时间主要消耗在寻址和等待数据稳定方面，所以速度快。
在写入时，可能有两种情况：
一种是只改写一个块的一部分，这时要先把待写入数据所用的数据区整个读出来，再将新旧数据合并，然后再统一将一个块区的数据写入所在的块。而且写入操作会需要更长的时间。
另外一种情况是整个块都要改，这种情况下会直接将新数据写入所在的块，这种情况速度较第一种会快。

因此，操作原理的不同，导致了读写速度的差异。
对于内存卡来说，通常使用Class表示写入速度（读取速度不同的产品差异较小）Class等级是按固定写8KB大小的文件计算的：
Class4 即8KB文件写入为4MB每秒，Class10 是8KB文件写入为10MB每秒，所以，一般Class几，8K文件的写入速度就是几MB每秒。
总容量一样，但文件数量不同的两批文件，数量少的文件写入速度更快，而数量很多的文件，其写入速度要比数量少的慢很多。

ddr2内存的数据读取和写入速度